Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) :: Страница 15

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT 9300746.pdf
GA200SA60UP GA200SA60UP Vishay Semiconductors Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 100A ---
STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 9300787.pdf
STGP10NB60SD STGP10NB60SD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH 9300813.pdf
FGA50N100BNTD2 FGA50N100BNTD2 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-ch / 50A 1000V 9300828.pdf
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 5-40kHz 9300868.pdf
STGD10NC60KT4 STGD10NC60KT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 9301051.pdf
STGW35HF60WD STGW35HF60WD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT 9301092.pdf
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Field Stop 9301141.pdf9301142.pdf
STGPL6NC60DI STGPL6NC60DI STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT 9301181.pdf
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS ---
GT60N321(Q) GT60N321(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1000V 60A ---
GT50J325(Q) GT50J325(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS+FRD ---
GN2470K4-G GN2470K4-G Supertex Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 700V 3.5A IGBT 9301349.pdf9301372.pdf
GT50J121(Q) GT50J121(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS ---
FF200R33KF2C FF200R33KF2C Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A DUAL ---
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel 9301561.pdf
HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series 9301638.pdf
HGTG40N60B3 HGTG40N60B3 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series 9301709.pdf
STGFL6NC60D STGFL6NC60D STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET 9301772.pdf
SGH15N60RUFDTU SGH15N60RUFDTU Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT 9301826.pdf
SGS5N150UFTU SGS5N150UFTU Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SGS10N60RUFD1TU 9301911.pdf
HGTP7N60B3D HGTP7N60B3D Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL 9301992.pdf
HGTG11N120CN HGTG11N120CN Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V N-Ch 9302040.pdf
FGPF90N30 FGPF90N30 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V 90A PDP IGBT ---