HGTG11N120CN

HGTG11N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG11N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9302040.pdf
Детальное описание компонента HGTG11N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 43 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG11N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TWR-S12G128-KIT TWR-S12G128-KIT Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - S08 / S12 TOWER KIT S12G128 ---
AP8GAH324U-1 AP8GAH324U-1 Apacer USB-флэш-накопители USB 2.0 FLASH DRIVE BLUE PEN CAP 8GB ---
M5060SB1200 M5060SB1200 Crydom Дискретные полупроводниковые модули MODULE POWER 60A 1200V BRIDGE 4257524.pdf4257543.pdf
DS3908N+T&R DS3908N+T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры Dual 64-Pos w/Buffered Output 5107627.pdf
TRSF23243IDGG TRSF23243IDGG Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Dual RS-232 Port 5758576.pdf