STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGD18N40LZT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9300746.pdf
Детальное описание компонента STGD18N40LZT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 360 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 12 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок DPAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 25 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KSE800S KSE800S Fairchild Semiconductor Transistors Darlington NPN Epitaxial Sil Darl 9452564.pdf
AR1020-I/ML AR1020-I/ML Microchip Technology Преобразователи и контроллеры для сенсорных экранов Touch Sensing Contlr 4356578.pdf
MAX3002ETP+T MAX3002ETP+T Maxim Integrated Products Трансляция - уровни напряжения 1.2-5.5V .1uA 35Mbps 8Ch 5363647.pdf
LM2594DADJG LM2594DADJG --- Схемы управления питанием ---
EL817(S)(B)(TD) EL817(S)(B)(TD) --- Оптопары и оптроны ---