HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP7N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301992.pdf
Детальное описание компонента HGTP7N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 60 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 400 Другие названия товара № HGTP7N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MDEV-LICAL-MS-ES MDEV-LICAL-MS-ES Linx Technologies Прочие средства разработки MS Series Master Dev Kit w/ ES RF Modules 9723893.pdf
AM29F160DT-75EF AM29F160DT-75EF --- Микросхемы памяти ---
MAX4528EUA+T MAX4528EUA+T --- Коммутационные микросхемы ---
4435.0129 4435.0129 --- Автоматические выключатели ---
NB-0625-2000-2C NB-0625-2000-2C --- Гибкие осветительные полосы ---