HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP7N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301992.pdf
Детальное описание компонента HGTP7N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 60 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 400 Другие названия товара № HGTP7N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SSR-90-W40S-R11-M2500 SSR-90-W40S-R11-M2500 --- Светодиоды высокой мощности ---
UUA1V100MCL1GS UUA1V100MCL1GS --- Конденсаторы ---
8959-75x50 8959-75x50 --- Ленты и мастики ---
92387-304 92387-304 --- Прямоугольные разъемы ---
796460-4 796460-4 --- Клеммные колодки ---