HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP7N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301992.pdf
Детальное описание компонента HGTP7N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 60 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 400 Другие названия товара № HGTP7N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
6100-W1K-S 6100-W1K-S 3M Electronic Specialty Волоконно-оптические соединители CONNCTR ST MM HTMLT WHT BOOT 1000BULK ---
XPC8240RVV250E XPC8240RVV250E --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
93C86AT-E/OT 93C86AT-E/OT --- Микросхемы памяти ---
LCMXO2-4000HE-6FTG256I LCMXO2-4000HE-6FTG256I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
PM0SXSSXB PM0SXSSXB --- Модули подачи питания ---