HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP7N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301992.pdf
Детальное описание компонента HGTP7N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 60 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 400 Другие названия товара № HGTP7N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2817424 2817424 Phoenix Contact Антенны FLT 35 CTRL-0.9/I ---
DS1013S-25+T&R DS1013S-25+T&R Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы ---
NC7ST02M5 NC7ST02M5 Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-Input NOR Gate 8252702.pdf
MAX2538ETI+ MAX2538ETI+ --- RF Semiconductors ---
QTLP670C7TR_Q QTLP670C7TR_Q --- Светодиодная индикация ---