GT50J121(Q)

GT50J121(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J121(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J121(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DC-SP-01-C DC-SP-01-C Digi International Сетевые модули SP Serial/Ethernet Adapter (N. America) 1426766.pdf
FF600R17KE3_B2 FF600R17KE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A ---
PCM1728E/2KG4 PCM1728E/2KG4 Texas Instruments CI de convertisseur audio N/A 24-Bit 96kHz Smplg CMOS D-S Stereo DAC 5893477.pdf
LTL-1214A LTL-1214A --- Светодиодная индикация ---
DPO3034L5 DPO3034L5 --- Осциллографы ---