GT50J121(Q)

GT50J121(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J121(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J121(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74HCT1G00GV,125 74HCT1G00GV,125 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SINGLE 2-INPUT NAND 8156488.pdf
ISPGAL22LV10-4LJ ISPGAL22LV10-4LJ --- Программируемые логические интегральные схемы ---
VLMW33T2AA-5K8L-18 VLMW33T2AA-5K8L-18 --- Светодиодная индикация ---
HSR312LSR2 HSR312LSR2 --- Оптопары и оптроны ---
DEBB33A221KN2A DEBB33A221KN2A --- Конденсаторы ---