GT50J121(Q)
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | GT50J121(Q) | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS | ||
Производитель: | Toshiba | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента GT50J121(Q) | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-3P |
Упаковка | Bulk | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | Through Hole |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
DC-SP-01-C | Digi International | Сетевые модули SP Serial/Ethernet Adapter (N. America) | 1426766.pdf |
|
||
FF600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | --- |
|
||
PCM1728E/2KG4 | Texas Instruments | CI de convertisseur audio N/A 24-Bit 96kHz Smplg CMOS D-S Stereo DAC | 5893477.pdf |
|
||
LTL-1214A | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
DPO3034L5 | --- | Осциллографы | --- |
|