GT50J121(Q)

GT50J121(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J121(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J121(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCF8576CT/1,118 PCF8576CT/1,118 --- Дисплеи ---
LZC-C0W200 LZC-C0W200 LedEngin Светодиодные модули White 2800K/6000K ---
101-0392 101-0392 Rabbit Semiconductor Одноплатные компьютеры SR9300 A/D 0-10V ---
MAX6465UR21-T MAX6465UR21-T --- Схемы управления питанием ---
DG508AEWE-T DG508AEWE-T --- Коммутационные микросхемы ---