GT30J121(Q)

GT30J121(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT30J121(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT30J121(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9532AUB+T MAX9532AUB+T Maxim Integrated Products Видеоусилители DirectDrive Video Amplifier 2519445.pdf
SN74HC7002NSR SN74HC7002NSR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad Pos-NOR Gate 8355950.pdf
597-7701-20-7LF 597-7701-20-7LF --- Светодиодная индикация ---
74ACT11623DW 74ACT11623DW --- Логические микросхемы ---
637-10ABPE 637-10ABPE --- Радиаторы ---