GT30J121(Q)

GT30J121(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT30J121(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT30J121(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9257AGCM+T MAX9257AGCM+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс параллельно-последовательного и последовательно-параллельного преобразования Prog Serializer / Deserializer 6093275.pdf
BQ4010MA-200 BQ4010MA-200 --- Микросхемы памяти ---
PMR4BWDW8.5 PMR4BWDW8.5 --- Светодиодная индикация ---
V5.5MLA0402LNH V5.5MLA0402LNH --- Варисторы ---
AAA6FBZ AAA6FBZ --- Аудио и видео разъемы ---