HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG20N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301561.pdf
Детальное описание компонента HGTG20N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 165 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG20N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
REG711EVM-232 REG711EVM-232 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием REG711-232 Eval Mod ---
CPC1465M CPC1465M --- Оптопары и оптроны ---
SN65HVD3083EDGS SN65HVD3083EDGS --- Логические микросхемы ---
2505 2505 --- Электронное оборудование ---
M2022TJW01-FA-4A-FC M2022TJW01-FA-4A-FC --- Переключатели ---