HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG20N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301561.pdf
Детальное описание компонента HGTG20N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 165 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG20N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CYD09S18V-100BBI CYD09S18V-100BBI --- Микросхемы памяти ---
MAX6441KAAHWD7+T MAX6441KAAHWD7+T --- Схемы управления питанием ---
ZRC500A01STZ ZRC500A01STZ --- Схемы управления питанием ---
00310 00310 --- Панельные измерительные приборы ---
01130 01130 --- Панельные измерительные приборы ---