GT50J325(Q)

GT50J325(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J325(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J325(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1052C5 1052C5 Chicago Miniature Световые панельные индикаторы GREEN DIFFUSED 1/2" MOUNTING HOLE 6531576.pdf6531595.pdf
CAT28F020P-90 CAT28F020P-90 --- Микросхемы памяти ---
CC2450E3VH CC2450E3VH --- Оптопары и оптроны ---
3186EA351M450APA2 3186EA351M450APA2 --- Конденсаторы ---
L17H1650125 L17H1650125 --- Субминиатюрные соединители ---