GT50J325(Q)

GT50J325(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J325(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J325(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
V700D23P31 V700D23P31 Omron Industrial Комплектующие для RFID-передатчиков 125KHz 256 Byte Button Tag 1135362.pdf
CDCS502PW CDCS502PW Texas Instruments Тактовые генераторы и продукция для поддержки Crystal Oscillator/ Clock Gen 6297019.pdf
IR2308SPBF IR2308SPBF --- Схемы управления питанием ---
TPS2096DRG4 TPS2096DRG4 --- Коммутационные микросхемы ---
NTCLE400E3103H NTCLE400E3103H --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---