HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG20N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301638.pdf
Цены: Розн.0,93$
Детальное описание компонента HGTG20N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 165 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG20N60B3_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TMDSPREX28335 TMDSPREX28335 Texas Instruments Макетные платы и комплекты - TMS320 C2000 Peripheral Explorer Kit 9240210.pdf
IXGR120N60C2 IXGR120N60C2 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V 2.7 V Rds 9347727.pdf
XR17V252IM-0A-EVB XR17V252IM-0A-EVB Exar ИС, интерфейс UART Supports V252 100 ld TQFP, PCI Interface 6171341.pdf
W2A41C471MAT2F W2A41C471MAT2F --- Конденсаторы ---
MA187R5CBN MA187R5CBN --- Конденсаторы ---