HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG20N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301638.pdf
Цены: Розн.0,93$
Детальное описание компонента HGTG20N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 165 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG20N60B3_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DEMO56F8013 DEMO56F8013 Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - другие процессоры MC56F8013 BRD W/US PS ---
MAX3311EUB+T MAX3311EUB+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 460kbps 1uA Transceiver 5292621.pdf
MAX642BMJA MAX642BMJA --- Схемы управления питанием ---
MAX5926EEE-T MAX5926EEE-T --- Схемы управления питанием ---
MAX4751EUD+T MAX4751EUD+T --- Коммутационные микросхемы ---