HGTG20N60B3

HGTG20N60B3
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG20N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9301638.pdf
Цены: Розн.0,93$
Детальное описание компонента HGTG20N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 165 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 40 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG20N60B3_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT ---
P2356UBTP P2356UBTP Littelfuse Сидаки 6Chp 200V 100A 185337.pdf
400 400 JKL Components Лампы Std Glass Wedge 28V .1A 1.6M ---
PQJ7980AHN/C0JL,51 PQJ7980AHN/C0JL,51 --- RF Semiconductors ---
B43564A4228M000 B43564A4228M000 --- Конденсаторы ---