| Изображение |
Название |
Производитель |
Описание |
Спецификация |
Кол-во |
|
 |
DF300R12KE3 |
Infineon Technologies |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL |
--- |
|
|
|
|
SKW15N120 |
Infineon Technologies |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A |
--- |
|
|
|
|
FZ2400R12KE3 |
Infineon Technologies |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 2400A SINGLE |
--- |
|
|
|
|
SGB8206ANT4G |
ON Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 20A, 350V, N-CH |
--- |
|
|
 |
STGB8NC60KT4 |
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET |
9321815.pdf |
|
|
 |
SGP23N60UFDTU |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT |
9321868.pdf |
|
|
|
|
GT15J331(TE24L,Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15A |
--- |
|
|
|
|
STGE200N60K |
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600 V BiPolar ISOTOP Parall Trans |
--- |
|
|
 |
SGH40N60UFDTU |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT |
9321981.pdf |
|
|
|
|
FGI40N60SFTU |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Field Stop |
9322051.pdf |
|
|
|
|
BSM200GA120DN2S |
Infineon Technologies |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE |
--- |
|
|
|
|
BSM400GA120DN2S |
Infineon Technologies |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE |
--- |
|
|
|
|
IRG7SC28UPBF |
International Rectifier |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
9322145.pdf |
|
|
|
|
GT20J321(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 20A |
--- |
|
|
|
|
GT15J301(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 15A |
--- |
|
|
|
|
IRG7PSH50UDPBF |
International Rectifier |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
9322231.pdf |
|
|
|
|
IRG7R313UPBF |
International Rectifier |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
9322289.pdf |
|
|
 |
AUIRGP4063D-E |
International Rectifier |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V co-pack Automotive Trench IGBT in a TO-247AC package |
--- |
|
|
|
|
GT10J303(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 10A |
--- |
|
|
|
|
GT10J312(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 10A |
--- |
|
|
|
|
GT10J321(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 10A |
--- |
|
|
|
|
GT15J311(Q) |
Toshiba |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 15A |
--- |
|
|
 |
FSBM30SM60A |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A/ SPM2 |
--- |
|
|
 |
FSBM20SH60A |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/20A/ SPM2 |
--- |
|
|
 |
FSBM10SM60A |
Fairchild Semiconductor |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/ SPM2 |
--- |
|
|