STGB8NC60KT4

STGB8NC60KT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB8NC60KT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9321815.pdf
Детальное описание компонента STGB8NC60KT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PEB3164FV1.1 PEB3164FV1.1 Infineon Technologies Аудио-КОДЕКи CODEC & SLIC ---
503638-1 503638-1 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители SC-ST METAL HYBRID A ---
11LC160-E/SN 11LC160-E/SN --- Микросхемы памяти ---
MAX16048ATN+T MAX16048ATN+T --- Схемы управления питанием ---
NTSE0XH103EV4B2 NTSE0XH103EV4B2 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---