GT15J311(Q)

GT15J311(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT15J311(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 15A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT15J311(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220FL/SM-3 Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
INA115BU INA115BU Texas Instruments Измерительные усилители Precision Instrumentation Amp 1262025.pdf
TRS202CDW TRS202CDW Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 5V Dual RS-232 Line Drvr/Rcvr 5757327.pdf
SN74LVC1G32QDBVRQ1 SN74LVC1G32QDBVRQ1 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Automotive Cat SNGL 2 Input Pos OR Gate 8053563.pdf
SIP41104DY-T1-E3 SIP41104DY-T1-E3 --- Схемы управления питанием ---
3140 3140 --- Электронное оборудование ---