GT10J321(Q)

GT10J321(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT10J321(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 10A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT10J321(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220(NIS)-3 Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 10 A
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-FM016GEA4S5S-ETJT AP-FM016GEA4S5S-ETJT Apacer Твердотельные накопители (SSD) ADM3 44P/270D ATA DISK MOD SLC 16GB ET ---
DAC8560IDDGKRG4 DAC8560IDDGKRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Ultra-Low Glitch Volt Out DAC 2488960.pdf
dsPIC33EP256GP506T-E/MR dsPIC33EP256GP506T-E/MR Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16B DC 256KB Fl 32KB R 60MHz 64p ---
RTC52 RTC52 --- Светодиодная индикация ---
C566C-RFN-CU0V0BB2 C566C-RFN-CU0V0BB2 --- Светодиодная индикация ---