GT10J312(Q)

GT10J312(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT10J312(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 600V, 10A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT10J312(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220SM-3 Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 10 A
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS4202-JQZ CS4202-JQZ Cirrus Logic Аудио-КОДЕКи IC AC'97 w/Headphone Amp 5724568.pdf
SN74LV165ADBRG4 SN74LV165ADBRG4 Texas Instruments Регистры сдвига счетчика Parallel Load 8B Shift Registers 2219156.pdf
24LC04BT-I/SN 24LC04BT-I/SN --- Микросхемы памяти ---
4435.0216 4435.0216 --- Автоматические выключатели ---
VCUG060100L1DP VCUG060100L1DP --- Варисторы ---