Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) :: Страница 23

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SKW07N120E8161 SKW07N120E8161 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A ---
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 30A ---
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A ---
SGB8206ANTF4G SGB8206ANTF4G ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 20A, 350V, N-CH ---
FZ400R12KE3S FZ400R12KE3S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE ---
FZ600R12KE3S FZ600R12KE3S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLE ---
DD600S17K6C-B2 DD600S17K6C-B2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 600A F/DIODE ---
FZ1200R33KF2C FZ1200R33KF2C Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLE ---
FZ1600R12KE3 FZ1600R12KE3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1600A SINGLE ---
BMS300GA170DN2S BMS300GA170DN2S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A SINGLE ---
DD401S17K6C-B2 DD401S17K6C-B2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 400A F/DIODE ---
FD150R12RT4 FD150R12RT4 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A ---
FZ3600R12KE3 FZ3600R12KE3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 3600A SINGLE ---
FZ300R12KE3GS FZ300R12KE3GS Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE ---
SKB02N60 E3266 SKB02N60 E3266 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Fast IGBT NPT Soft anti-parallel EmCon ---
GT10Q101(Q) GT10Q101(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/10A DIS ---
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT ---
IKD06N60RA IKD06N60RA Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT ---
IKD10N60RA IKD10N60RA Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT ---
IKW75N60TA IKW75N60TA Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A 100nA ---
IKD03N60RF IKD03N60RF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH RC Drives Fast 600V 2.5A ---
IGA30N60H3 IGA30N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HI SPEED SWITCHING 600V 30A ---
IKU06N60R IKU06N60R Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT ---
IKW40N60H3 IKW40N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W ---
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W ---