IKW40N60H3

IKW40N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW40N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW40N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 306 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1, IKW40N60H3XK SP000769928,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10B-E3/73 RGP10B-E3/73 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 100 Volt 150ns 3800077.pdf
BFR92A,215 BFR92A,215 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN 25MA 15V 5GHZ 5308363.pdf5308377.pdf
S-8241ACNMC-GCNT2G S-8241ACNMC-GCNT2G --- Схемы управления питанием ---
560-0408F 560-0408F --- Светодиодная индикация ---
SN74BCT543DWE4 SN74BCT543DWE4 --- Логические микросхемы ---