IKW40N60H3

IKW40N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW40N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW40N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 306 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1, IKW40N60H3XK SP000769928,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
B412F-2T-YEB B412F-2T-YEB Crydom Дискретные полупроводниковые модули RECT BRIDG SGL PHASE 12A W/OPT 4499319.pdf
VSKT250-16PBF VSKT250-16PBF Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 250 Amp 1600 Volt 550 Amp IT(RMS) ---
SMUN5112T1G SMUN5112T1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) SS SURFACE MOUNT ---
MAX3111EEWI-T MAX3111EEWI-T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс UART 6235815.pdf
74HCT4353D 74HCT4353D --- Коммутационные микросхемы ---