GT10Q101(Q)

GT10Q101(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT10Q101(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/10A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT10Q101(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 10 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS5331A-BSR CS5331A-BSR Cirrus Logic ИС ЦАП для аудиосигналов IC 8-Pin Stereo ADC 5928268.pdf
SN74AHC132NE4 SN74AHC132NE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad Positive-NAND Gate 7953279.pdf
TMS320F2812PGFQ TMS320F2812PGFQ Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 32-Bit Digital Sig Controller w/Flash 5743006.pdf5743016.pdf
DC2CU12L DC2CU12L --- Автоматические выключатели ---
5BC-Y/G 5BC-Y/G --- Светодиодная индикация ---