FZ3600R12KE3

FZ3600R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ3600R12KE3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 3600A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ3600R12KE3
Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3600 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 14.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM 190X140-9 Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9318355.pdf
MAX538ACSA+ MAX538ACSA+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC 888524.pdf
PCA9515ADG4 PCA9515ADG4 Texas Instruments ИС, интерфейс I2C Dual BiDirec I2C Bus and SMBus Repeater 7663764.pdf
CBTD16213DGG-T CBTD16213DGG-T NXP Semiconductors Функции универсальной шины 24BIT BUS EXC SW 12BT OUTPT EN 5701665.pdf
908-22MM 908-22MM --- Светодиодная индикация ---