IGP30N60H3

IGP30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGP30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGP30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 500
Другие названия товара № IGP30N60H3XK IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1, SP000702546,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCP3909RD-3PH3 MCP3909RD-3PH3 Microchip Technology Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MCP3909 3Phase Meter Ref Design DSPIC33F 9746937.pdf
TJA1027TK/20,118 TJA1027TK/20,118 NXP Semiconductors Линейные интегральные трансиверы LIN 2.2/SAE J2602 transceiver ---
UC2861DW UC2861DW --- Схемы управления питанием ---
T192B686J030AS T192B686J030AS --- Конденсаторы ---
HEDS-9200#300 HEDS-9200#300 --- Кодеры ---