IGP30N60H3

IGP30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGP30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGP30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 500
Другие названия товара № IGP30N60H3XK IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1, SP000702546,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCD-H501C39TF LCD-H501C39TF Lumex Цифровые дисплейные ЖК-модули .39 Ch. Ht Five Digit Transflective 5492325.pdf
PTH12030LAST PTH12030LAST Emerson / Astec Power Модули управления питанием 10.2-13.8Vin 0 .8-1.8V 26A 9025202.pdf
ELM 5-745 ELM 5-745 --- Светодиодная индикация ---
3990A7 3990A7 --- Светодиодная индикация ---
MX6SWT-H1-R250-000DA6 MX6SWT-H1-R250-000DA6 --- Светодиоды высокой мощности ---