IGP30N60H3

IGP30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGP30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGP30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 500
Другие названия товара № IGP30N60H3XK IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1, SP000702546,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
N74F253N,602 N74F253N,602 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры DUAL 4-INPUT MULTPLX 3351374.pdf
74LVC2G74GT-G 74LVC2G74GT-G NXP Semiconductors Триггеры SNGL D-TYPE POSITIVE 7913798.pdf
74HCT423PW 74HCT423PW NXP Semiconductors Ждущий мультивибратор DUAL RETGIG MONOSTBL MULTI ---
IS43LR16320B-6BLI-TR IS43LR16320B-6BLI-TR --- Микросхемы памяти ---
MC14052BDR2 MC14052BDR2 --- Коммутационные микросхемы ---