| Изображение |
Название |
Производитель |
Описание |
Спецификация |
Кол-во |
|
 |
BLF6G22LS-40P,112 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR |
5489529.pdf |
|
|
 |
BG 3123 H6327 |
Infineon Technologies |
РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS |
--- |
|
|
 |
PD57060TR-E |
STMicroelectronics |
РЧ транзисторы, МОП-структура RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam |
5489715.pdf |
|
|
 |
BLF573S,112 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 110V 42A 3-Pin |
5489861.pdf |
|
|
 |
MAPRST0912-350 |
M/A-COM Technology Solutions |
РЧ транзисторы, МОП-структура 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min |
5489958.pdf |
|
|
 |
MRF6S27085HR3 |
Freescale Semiconductor |
РЧ транзисторы, МОП-структура HV6 2700MHZ NCDMA NI780H |
--- |
|
|
 |
MRF8P9300HR6 |
Freescale Semiconductor |
РЧ транзисторы, МОП-структура HV8-900 100W 28V NI1230H |
5490115.pdf |
|
|
 |
BLF6G27-10,118 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура N-CH 65V 3.5A Trans MOSFET |
5490225.pdf |
|
|
|
|
BLF6G22LS-40BN,118 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR 40W |
5490314.pdf |
|
|
 |
BF 5030W H6327 |
Infineon Technologies |
РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS |
--- |
|
|
 |
BG 3130R H6327 |
Infineon Technologies |
РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS |
--- |
|
|
|
|
MAPR-002731-115M00 |
M/A-COM Technology Solutions |
РЧ транзисторы, МОП-структура 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1 |
5490470.pdf |
|
|
 |
BLF6G22LS-180PN,11 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура Pwr LDMOS transistor |
5490542.pdf |
|
|
 |
SD57060-01 |
STMicroelectronics |
Transistors de puissance RF à MOSFET N-Ch 65 Volt 7 Amp |
5490631.pdf |
|
|
|
|
MAPR-002729-170M00 |
M/A-COM Technology Solutions |
РЧ транзисторы, МОП-структура 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1 |
5490663.pdf |
|
|
 |
BLF6G22-180PN,135 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура Pwr LDMOS transistor |
5490845.pdf |
|
|
|
|
MAPR-000912-500S00 |
M/A-COM Technology Solutions |
РЧ транзисторы, МОП-структура 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min |
5490923.pdf |
|
|
 |
BLF6G21-10G,135 |
NXP Semiconductors |
РЧ транзисторы, МОП-структура TransMOSFET N-CH 65V |
5491169.pdf |
|
|
 |
MRF1570NT1 |
Freescale Semiconductor |
РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS TO272-6N FORMED |
--- |
|
|
|
|
NE5520379A-T1A-A |
CEL |
РЧ транзисторы, МОП-структура L&S Band LD-MOSFET |
5491295.pdf |
|
|
 |
NE55410GR-T3-AZ |
CEL |
РЧ транзисторы, МОП-структура Silicon Medium Pwr LDMOSFET |
5492753.pdf |
|
|
 |
NE5511279A-T1-A |
CEL |
РЧ транзисторы, МОП-структура UHF Band RF Power |
5492990.pdf |
|
|
|
|
NE5520279A-T1-A |
CEL |
РЧ транзисторы, МОП-структура L/S Band Med Power |
5493189.pdf |
|
|
|
|
MAPM-020512-010C00 |
M/A-COM Technology Solutions |
РЧ транзисторы, МОП-структура 20-512MHz Gain:25dB VSWR:3:1 -40c to 85C |
5493676.pdf |
|
|
 |
MRF8S9220HSR5 |
Freescale Semiconductor |
РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 WCDMA 66W 28V NI780S |
5493811.pdf |
|
|