BG 3130R H6327

BG 3130R H6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3130R H6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3130R H6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 24 dB
Напряжение пробоя сток-исток 12 V Непрерывный ток стока 25 mA
Напряжение пробоя затвор-исток 6 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 200 mW
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BG3130RH6327XT BG3130RH6327XTSA1 BG3130RH6327XTSA1, SP000753496,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV23A-7-F BAV23A-7-F Diodes Inc. Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200V 350mW 3761077.pdf3761115.pdf
HSC-AT11K-A03(20) HSC-AT11K-A03(20) Hirose Connector Connecteurs fibre optique SC TYP FIXED ATTENUATOR 03 dB ---
SN74LVC1G11DBVRE4 SN74LVC1G11DBVRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SNGL 3 Input Pos AND Gate 7949701.pdf
BK20104M601-T BK20104M601-T --- ЭМП и РЧП ---
391-036-520-202 391-036-520-202 --- Прямоугольные разъемы ---