BG 3123 H6327

BG 3123 H6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BG 3123 H6327
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BG 3123 H6327
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 25 dB
Напряжение пробоя сток-исток 12 V Непрерывный ток стока 25 mA
Напряжение пробоя затвор-исток 6 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-363 Упаковка Reel
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 200 mW
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BG3123H6327XT BG3123H6327XTSA1 BG3123H6327XTSA1, SP000753490,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX17016EVKIT+ MAX17016EVKIT+ Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MAX17016 Eval Kit ---
EVAL ISO1H815G EVAL ISO1H815G Infineon Technologies Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием ISO1H215G EVAL BOARD ---
CP2201EK CP2201EK Silicon Labs Средства разработки сетей Ethernet ETHERNET EVAL KIT 782109.pdf782137.pdf
MC74HC74ADR2G MC74HC74ADR2G ON Semiconductor Триггеры 2-6V CMOS Dual D-Type w/Set Reset ---
MAL210446152E3 MAL210446152E3 --- Конденсаторы ---