BLF6G22LS-40P,112

BLF6G22LS-40P,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22LS-40P,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5489529.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22LS-40P,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.1 GHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 13.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-1121B
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAS521,115 BAS521,115 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Switching 300V 250mA 3509743.pdf
MC10EP32DTR2G MC10EP32DTR2G ON Semiconductor Синхронизаторы и распределители тактового сигнала 3.3V/5V ECL Divide By 2 Divider ---
KA556I KA556I Fairchild Semiconductor Таймеры и сопутствующая продукция Dual ---
CS61575-IL1R CS61575-IL1R Cirrus Logic Интерфейс - специализированный IC T1/E1 Lne Intrfce Unit for Stratum 7711001.pdf
dsPIC30F2011T-30I/ML dsPIC30F2011T-30I/ML Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 28LD 30MIPS 12 KB 5966763.pdf