Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) :: Страница 23

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
F4-150R12KS4 F4-150R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 180A ---
FS50R12KT4_B15 FS50R12KT4_B15 --- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
FF200R12MT4 FF200R12MT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE ---
BSM50GD120DN2E3226 BSM50GD120DN2E3226 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A ---
BSM300GA120DLCS_B7 BSM300GA120DLCS_B7 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A ---
FF800R17KE3 FF800R17KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA ---
FD401R17KF6C_B2 FD401R17KF6C_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A ---
FP75R12KT4_B11 FP75R12KT4_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A ---
BSM100GB120DN2F BSM100GB120DN2F Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A ---
FF400R17KE3_B2 FF400R17KE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 600A ---
VS-GB75YF120N VS-GB75YF120N Vishay Semiconductors Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp ---
BSM75GD60DLC BSM75GD60DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A 3-PHASE ---
FS100R12KT4G_B11 FS100R12KT4G_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A ---
FD200R12KE3 FD200R12KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPER ---
BSM400GA120DN2F BSM400GA120DN2F Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A ---
BSM50GP60G BSM50GP60G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM ---
BSM75GP60 BSM75GP60 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIM ---
FS450R17KE4 FS450R17KE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A ---
FS75R12KE3_B3 FS75R12KE3_B3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A ---
FF600R17KF6C_B2 FF600R17KF6C_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 975A ---
FS100R12KT3 FS100R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140A ---
FS450R17KE3 FS450R17KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE ---
FP100R06KE3 FP100R06KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A ---
FS225R17KE3 FS225R17KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 225A 3-PHASE ---
FF300R12ME3 FF300R12ME3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500A ---