F4-150R12KS4

F4-150R12KS4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: F4-150R12KS4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 180A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента F4-150R12KS4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 180 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок Econo 3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PTFA091201GLV1R250 PTFA091201GLV1R250 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz ---
TRS3222CDW TRS3222CDW Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Multichannel RS232 Line Drvr/Rcvr 5744837.pdf
SN74ACT7813-20DLR SN74ACT7813-20DLR --- Микросхемы памяти ---
HDSP-C2G3 HDSP-C2G3 --- Светодиодные дисплеи ---
KTY83/151 T/R KTY83/151 T/R --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---