FS100R12KT4G_B11

FS100R12KT4G_B11
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FS100R12KT4G_B11
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FS100R12KT4G_B11
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок Econo 3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M29F080D70M1 M29F080D70M1 --- Микросхемы памяти ---
CGS393U100X5R CGS393U100X5R --- Конденсаторы ---
4702-24-0 4702-24-0 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
RSDL19035CG1 RSDL19035CG1 --- Электронное оборудование ---
1414M8 1414M8 --- Кожухи, коробки и корпуса ---