Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) :: Страница 21

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BSM400GA120DN2 BSM400GA120DN2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE ---
FS50R06YE3 FS50R06YE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A ---
FZ600R12KE4 FZ600R12KE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A ---
FZ1000R33HL3 FZ1000R33HL3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA ---
FS35R12NT3 FS35R12NT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A ---
BSM300GA120DN2S_E3256 BSM300GA120DN2S_E3256 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A ---
F4-100R12KS4 F4-100R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 130A ---
FF200R06YE3ENG FF200R06YE3ENG Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
FF600R17KE3 FF600R17KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A ---
FD1200R17KE3-K FD1200R17KE3-K Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA ---
BSM50GP60_B2 BSM50GP60_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A ---
BSM100GB120DN2_E3256 BSM100GB120DN2_E3256 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A ---
BSM150GB170DLC BSM150GB170DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL ---
FT150R12KE3_B5 FT150R12KE3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A ---
BSM400GA120DN2C BSM400GA120DN2C Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A ---
BSM15GP120_B2 BSM15GP120_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A ---
FZ800R12KS4_B2 FZ800R12KS4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA ---
FF401R17KF6C_B2 FF401R17KF6C_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A ---
FS75R12KT3G FS75R12KT3G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A ---
FF400R12KT3 FF400R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A ---
FD800R17KF6C_B2 FD800R17KF6C_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA ---
BSM10GP120_B9 BSM10GP120_B9 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A ---
FF800R17KE3_B2 FF800R17KE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KA ---
F4-25R12YT3_B5 F4-25R12YT3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
FF450R17ME3 FF450R17ME3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A ---