BSM400GA120DN2

BSM400GA120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM400GA120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM400GA120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 550 A
Рассеяние мощности 2700 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
805-00011 805-00011 Parallax Комплектующие для процессоров LCD Extension Cable 10in Inclds451-00303 ---
DRA3115G0L DRA3115G0L Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm 9483395.pdf
DM74ALS874BNT DM74ALS874BNT Fairchild Semiconductor Триггеры Dl 4-Bit D Flip-Flop 7893160.pdf
AT28HC256F-90SC AT28HC256F-90SC --- Микросхемы памяти ---
VN06-E VN06-E --- Коммутационные микросхемы ---