FD800R17KF6C_B2

FD800R17KF6C_B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FD800R17KF6C_B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FD800R17KF6C_B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 6.25 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM73 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IR3802MTRPBF IR3802MTRPBF --- Схемы управления питанием ---
S-80156CLPF-JJHTFG S-80156CLPF-JJHTFG --- Схемы управления питанием ---
YQD120N0006 YQD120N0006 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
74VHC245N 74VHC245N --- Логические микросхемы ---
6454 BK001 6454 BK001 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---