NE5517DR2G

NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Reel
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ZRS-8480-CW ZRS-8480-CW JKL Components Светодиодные модули 8.0mm X 480mm LED Cool White Light Bar 5294245.pdf5294258.pdf
TDA1519U TDA1519U NXP Semiconductors Усилители звука 2X11W AUDIO POWR AMP 5645659.pdf
ST2129QTR ST2129QTR STMicroelectronics Трансляция - уровни напряжения 2-Bit Dual Supply Lvl Trans w/out Pin 5219259.pdf
STK11C88-SF45TR STK11C88-SF45TR --- Микросхемы памяти ---
MAX6791TPMD3+ MAX6791TPMD3+ --- Схемы управления питанием ---