NE5517DR2G

NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Reel
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS21Q59LN+ DS21Q59LN+ Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры Quad E1 Transceiver 9586412.pdf
RFPIC12C509AGT-I/SO RFPIC12C509AGT-I/SO --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
UCC35705DGKTR UCC35705DGKTR --- Схемы управления питанием ---
MCT6-X001 MCT6-X001 --- Оптопары и оптроны ---
5GAD22 5GAD22 --- Конденсаторы ---