NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE5517DR2G | ||
Описание: | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | ||
Производитель: | ON Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента NE5517DR2G | |||
Количество каналов | 2 | Упаковка / блок | SOIC-16 |
---|---|---|---|
Входное напряжение смещения | 5 mV | Напряжение питания (макс.) | 44 V |
Ток питания | 4 mA | Максимальная рабочая температура | + 70 C |
Минимальная рабочая температура | 0 C | Упаковка | Reel |
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) | 80 dB | Диапазон входного напряжения (макс.) | Positive Rail - 3 V |
Максимальное рассеяние мощности | 1125 mW | Вид монтажа | SMD/SMT |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MIKROE-777 | mikroElektronika | Программное обеспечение для разработки USB KEY VISUAL TFT SOFTWARE | --- |
|
||
BLF6G10LS-160RN:11 | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | 5485946.pdf |
|
||
NIS5135MN1TXG | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
UC2524ADW | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
SN74LVTH2952NSR | --- | Логические микросхемы | --- |
|