NE5517DR2G

NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Reel
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MIKROE-777 MIKROE-777 mikroElektronika Программное обеспечение для разработки USB KEY VISUAL TFT SOFTWARE ---
BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-160RN:11 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin 5485946.pdf
NIS5135MN1TXG NIS5135MN1TXG --- Схемы управления питанием ---
UC2524ADW UC2524ADW --- Схемы управления питанием ---
SN74LVTH2952NSR SN74LVTH2952NSR --- Логические микросхемы ---