NE5517DR2G

NE5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Reel
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS4397-KSZ CS4397-KSZ Cirrus Logic ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) IC 24Bit 192 kHz DAC for Digital Audio 2832968.pdf
BDST25 BDST25 --- Автоматические выключатели ---
04605 04605 --- Панельные измерительные приборы ---
6245-48-2 6245-48-2 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
67503-1340 67503-1340 --- USB-коннекторы ---