BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10LS-160RN:11
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160RN:11
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5485946.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160RN:11
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KRN-K3XX-TMPM3X-P-P1-PDLN KRN-K3XX-TMPM3X-P-P1-PDLN Micrium Программное обеспечение для разработки uC/OS-III on Toshiba TMPM3xx PLL 9275860.pdf
Q4025J681 Q4025J681 Littelfuse Триаки 400V 25A 80-80-80mA 239928.pdf
DAC7551TDRNRQ1 DAC7551TDRNRQ1 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12B,Ultralo Glitch Vltg Output DAC 1697889.pdf
MAX3885ECB+TD MAX3885ECB+TD Maxim Integrated Products ИС, интерфейс параллельно-последовательного и последовательно-параллельного преобразования 3.3V 2.488Gbps SDH/ SONET 1:16 Deserial 6084903.pdf
MAX709TCSA+T MAX709TCSA+T --- Схемы управления питанием ---