PBRN113ES AMO

PBRN113ES AMO
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PBRN113ES AMO
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента PBRN113ES AMO
Fabricant NXP Catégorie du produit Transistors Switching (Resistor Biased)
Configuration Single Polarité du transistor NPN
Résistance d'entrée type 1 KOhms Taux de résistance type 1
Style de montage SMD/SMT Package/Boîte SPT-3
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. 40 V Courant collecteur de crête CC 800 mA
Température de fonctionnement max. + 150 C Conditionnement Ammo
Température de fonctionnement min. - 65 C Nombre de pièces de l'usine 2000
Raccourcis pour l'article N° PBRN113ES,126

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
106004-3285 106004-3285 Molex Волоконно-оптические соединители SPX AD BEZEL TAB MX LBL BLK SC ZRSLV BLK 5673309.pdf
BFU730F,115 BFU730F,115 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS 427810.pdf
KSR2113MTF KSR2113MTF Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) SOT-23 ---
LCMXO2280C-4BN256C LCMXO2280C-4BN256C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MP6231DN-LF MP6231DN-LF --- Коммутационные микросхемы ---