BFU730F,115

BFU730F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFU730F,115
Описание: РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 427810.pdf
Детальное описание компонента BFU730F,115
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V Непрерывный коллекторный ток 5 mA
Рассеяние мощности 197 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT343F-4 Упаковка Reel
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.8 V Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 555
Максимальная рабочая частота 55 GHz

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX326CPE+ MAX326CPE+ --- Коммутационные микросхемы ---
EL-PT28-21B/TR8 EL-PT28-21B/TR8 --- Оптические детекторы и датчики ---
C1632C220K4GACTU C1632C220K4GACTU --- Конденсаторы ---
LP8720TLX-B/NOPB LP8720TLX-B/NOPB --- Схемы управления питанием ---
EM4815# EM4815# --- Комплектующие для испытательного оборудования ---