NE425S01

NE425S01
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE425S01
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Lo Noise HJFET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5413929.pdf
Детальное описание компонента NE425S01
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 12 dB Шумовая диаграмма 0.6 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 60 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 90 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-1
Упаковка Bulk

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9000EUA+ MAX9000EUA+ Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители Op Amp Comparator Reference IC 658233.pdf
THS3122IDDAG3 THS3122IDDAG3 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Dual High Output Current 120-MHz 814080.pdf
CS4348-CZZ CS4348-CZZ Cirrus Logic ИС ЦАП для аудиосигналов Stereo DAC 24-Bit 192kHz 5867926.pdf5867944.pdf
NJW#1142M-TE2 NJW#1142M-TE2 NJR Цифровые процессоры звукового сигнала EALA w/Original Srnd Lead Free Package ---
KA431SAMFTF_G KA431SAMFTF_G --- Схемы управления питанием ---