IGW15T120

IGW15T120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW15T120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW15T120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 110 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW15T120FKSA1 IGW15T120FKSA1, IGW15T120XK SP000013888,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
F1857DH1000 F1857DH1000 Crydom Дискретные полупроводниковые модули 55A 380VAC MODULE SCR/DIODE 4410165.pdf
HGTP20N35G3VL HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dri 20A 350V ---
080-5710-05-301 080-5710-05-301 --- Лампы и держатели ---
NCP15WD683K03RC NCP15WD683K03RC --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
EL357NC(TA)-G EL357NC(TA)-G --- Оптопары и оптроны ---