HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP20N35G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dri 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP20N35G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер 590 uA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP20N35G3VL_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
106032-0960 106032-0960 Molex Волоконно-оптические соединители TUNABLE SC CONNECTOR TUNABLE SC CONNECTOR 5990810.pdf
74VHC273MTC_Q 74VHC273MTC_Q Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Tp Flip-Flop 7929269.pdf
74ABT02DB,112 74ABT02DB,112 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT NOR 8342980.pdf
AQW215A AQW215A --- Оптопары и оптроны ---
PS2561BL2-1-A PS2561BL2-1-A --- Оптопары и оптроны ---