HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP20N35G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dri 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP20N35G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер 590 uA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP20N35G3VL_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M74HC377RM13TR M74HC377RM13TR STMicroelectronics Триггеры Octal "D" Flip-Flop 4199670.pdf
UPG2106TB UPG2106TB --- RF Semiconductors ---
MP6231DH-LF-P MP6231DH-LF-P --- Коммутационные микросхемы ---
UUX1C221MNT1GS UUX1C221MNT1GS --- Конденсаторы ---
333-044-542-201 333-044-542-201 --- Прямоугольные разъемы ---