HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP20N35G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dri 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP20N35G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер 590 uA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP20N35G3VL_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM20343EVAL/NOPB LM20343EVAL/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LM20343 Eval Mod ---
WM8951LGEFL/R WM8951LGEFL/R Wolfson Microelectronics ИС АЦП для аудиосигналов Stereo ADC with Mic Input & Clk Gen 2792826.pdf
DAC715UG4 DAC715UG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit w/6-Bit Bus Interface 1662432.pdf
UJA1078ATW/3V3,118 UJA1078ATW/3V3,118 NXP Semiconductors ИС для интерфейса CAN Hi Spd CAN Transcvr 4.5V-28V 6us 9397911.pdf
MAX4640EPD MAX4640EPD --- Коммутационные микросхемы ---