FF150R17ME3G

FF150R17ME3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF150R17ME3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF150R17ME3G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 240 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок Econo D
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 12

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLC3702IPW TLC3702IPW Texas Instruments ИС, компараторы Dual Low Voltage 9449103.pdf
S-93C66ADP S-93C66ADP --- Микросхемы памяти ---
135-104LAG-J01 135-104LAG-J01 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
SB-0625-1200-2C SB-0625-1200-2C --- Гибкие осветительные полосы ---
VUA330M1ETR-0606 VUA330M1ETR-0606 --- Конденсаторы ---