FZ1200R33KF2

FZ1200R33KF2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ1200R33KF2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) U 641-FZ1200R33KF2C
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ1200R33KF2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2000 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 14.7 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT93C66AY6-10YH-1.8 AT93C66AY6-10YH-1.8 --- Микросхемы памяти ---
TLVH431BCDCKRG4 TLVH431BCDCKRG4 --- Схемы управления питанием ---
SSL-LX5093XSRC13TB SSL-LX5093XSRC13TB --- Светодиодная индикация ---
6N136-X016 6N136-X016 --- Оптопары и оптроны ---
74OL6011 74OL6011 --- Оптопары и оптроны ---