FF150R12KE3G

FF150R12KE3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF150R12KE3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF150R12KE3G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 225 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 780 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S1D13746B01B600 S1D13746B01B600 Epson Electronics America Аппаратные драйверы ЖКД (NTSC/ PAL) TV Out controller 3892748.pdf
DF04S-T DF04S-T Diodes Inc. Мостовые выпрямители 400V 1A 2576990.pdf
2N5307_Q 2N5307_Q Fairchild Semiconductor Transistors Darlington NPN Transistor Darlington ---
MSQC6440W MSQC6440W --- Светодиодные дисплеи ---
LFXP15C-4F256I LFXP15C-4F256I --- Программируемые логические интегральные схемы ---