2N5307_Q

2N5307_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N5307_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N5307_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Непрерывный коллекторный ток 1.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DSP56309EVM DSP56309EVM Freescale Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров DSP56309 Eval Kit ---
ACST1210-7GTR ACST1210-7GTR STMicroelectronics Триаки Triac Crowbar 10mA Switch 12A 700V 222833.pdf
651-61R 651-61R --- Светодиодная индикация ---
B66322U0082K127 B66322U0082K127 --- ЭМП и РЧП ---
108477048006025 108477048006025 --- Прямоугольные разъемы ---