NE5517DR2

NE5517DR2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Полоса пропускания 2 MHz Входное напряжение смещения 5 mV
Напряжение питания (макс.) 44 V Ток питания 2.6 mA
Максимальная рабочая температура + 70 C Минимальная рабочая температура 0 C
Упаковка Reel Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB
Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CMPD6001S CMPD6001S Central Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Dual In Series Low Leakage 3683872.pdf
ACSC08-51SEKWA ACSC08-51SEKWA --- Светодиодные дисплеи ---
5894 5894 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
TMOV14R150EL2T7 TMOV14R150EL2T7 --- Варисторы ---
8404 060U1000 8404 060U1000 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---