NE5517DR2

NE5517DR2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DR2
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DR2
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Полоса пропускания 2 MHz Входное напряжение смещения 5 mV
Напряжение питания (макс.) 44 V Ток питания 2.6 mA
Максимальная рабочая температура + 70 C Минимальная рабочая температура 0 C
Упаковка Reel Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB
Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74CBT3345CDBQRG4 SN74CBT3345CDBQRG4 --- Коммутационные микросхемы ---
FLP2FV4.5-SUR FLP2FV4.5-SUR --- Светодиодная индикация ---
SFH 309-4 SFH 309-4 --- Оптические детекторы и датчики ---
EEV-TG1K470UP EEV-TG1K470UP --- Конденсаторы ---
4245-PA-51H-01800 4245-PA-51H-01800 --- ЭМП и РЧП ---