AU5517DR2G

AU5517DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: AU5517DR2G
Описание: Транскондуктивные усилители TWO CURRENT- CONTROLLED TR
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента AU5517DR2G
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Полоса пропускания 2 MHz Входное напряжение смещения 5 mV
Напряжение питания (макс.) 44 V Ток питания 2.6 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура - 40 C
Упаковка Reel Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB
Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DP83849IDVS/NOPB DP83849IDVS/NOPB National Semiconductor (TI) ИС, Ethernet 6913290.pdf
ST1284-01A8RL ST1284-01A8RL STMicroelectronics Интерфейс - специализированный Parallel Port Term 7669185.pdf
SSS-LX5063HD-650B SSS-LX5063HD-650B --- Светодиодная индикация ---
V27ZS60P V27ZS60P --- Варисторы ---
T 3203 009 T 3203 009 --- Цилиндрические разъемы ---