NE5517DG

NE5517DG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DG
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DG
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Tube
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 48

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BDW24TU BDW24TU Fairchild Semiconductor Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial ---
MAX9669ETI+T MAX9669ETI+T Maxim Integrated Products Буферные усилители напряжения для коррекции гаммы ЖК-мониторов 10-Bit Prog Gamma Reference System ---
CD4541BPWR CD4541BPWR Texas Instruments Таймеры и сопутствующая продукция CMOS Programmable Timer-High Voltage 6820598.pdf
SN74LV138ATPWTE4 SN74LV138ATPWTE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3Ln To 8Ln Decoder Demultiplexers 3019981.pdf
93AA46A/W15K 93AA46A/W15K --- Микросхемы памяти ---