NE5517DG

NE5517DG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DG
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DG
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Tube
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 48

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADS1271EVM ADS1271EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADS1271 Eval Mod ---
74ACQ373PC_Q 74ACQ373PC_Q Fairchild Semiconductor Защелки Octal Trans Latch 3393809.pdf
M58LW032D110N6 M58LW032D110N6 --- Микросхемы памяти ---
5-66506-9 5-66506-9 --- Субминиатюрные соединители ---
51915-076LF 51915-076LF --- Прямоугольные разъемы ---