NE5517DG

NE5517DG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE5517DG
Описание: Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NE5517DG
Количество каналов 2 Упаковка / блок SOIC-16
Входное напряжение смещения 5 mV Напряжение питания (макс.) 44 V
Ток питания 4 mA Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C Упаковка Tube
Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) 80 dB Диапазон входного напряжения (макс.) Positive Rail - 3 V
Максимальное рассеяние мощности 1125 mW Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 48

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TISP3125F3P TISP3125F3P Bourns Сидаки Medium Volt Dual Bidirectional 211289.pdf
DS1267E-10/T&R DS1267E-10/T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5175682.pdf
SI8423AB-B-ISR SI8423AB-B-ISR Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс Dual Ch 2.5kV Isolator 7733142.pdf
MC74VHC4052MG MC74VHC4052MG --- Коммутационные микросхемы ---
21571114405 21571114405 --- Цилиндрические разъемы ---