THS4225DGN
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | THS4225DGN | ||
| Описание: | Быстродействующие операционные усилители Low-Distortion High Speed R-to-R Output | ||
| Производитель: | Texas Instruments | ||
| Спецификация: | 892745.pdf | ||
| Детальное описание компонента THS4225DGN | |||
| Количество каналов | 1 Channel | Усиление по напряжению, дБ | 100 dB |
|---|---|---|---|
| Входное напряжение смещения | 10 mV | Скорость нарастания выходного напряжения | 550 V/us |
| Рабочее напряжение питания | 15 V | Ток питания | 18 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 1710 mW | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | HTSSOP-8 | Упаковка | Tube |
| Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) | 74 dB | Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Размер фабричной упаковки | 80 |
| Напряжение питания (макс.) | 15 V | Напряжение питания (мин.) | 2.7 V |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
73S1217F-EB | Maxim Integrated Products | Макетные платы и комплекты - 8051 73S1217F Eval Brd (Usb Cable, Doc. Cd) | 9754922.pdf |
|
|
|
|
FP10R06YE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | --- |
|
|
 |
BF1101WR,115 | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала N-CH DUAL GATE 7V | 5534684.pdf |
|
|
|
|
SP6134EB | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
TPS2010DRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|