NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NSBA123EDXV6T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NSBA123EDXV6T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-563-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток - 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 357 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCI-EXP4-E3-UT3 PCI-EXP4-E3-UT3 Lattice Программное обеспечение для разработки PCI EXPRESS X4 ENDPT USER CONFIGURABLE ---
S602ESAP S602ESAP Littelfuse Комплектные тиристорные устройства (SCR) 1.5 Amp Sensitive SCR 150604.pdf
ICM7556ISD-T ICM7556ISD-T Maxim Integrated Products Таймеры и сопутствующая продукция Low-Power General Purpose Timer 6847087.pdf
908-830 908-830 --- Светодиодная индикация ---
LNK2G682MSEJ LNK2G682MSEJ --- Конденсаторы ---