PDTB123TT T/R

PDTB123TT T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PDTB123TT T/R
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 500 MA RET
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента PDTB123TT T/R
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3 Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Пиковый постоянный ток коллектора 500 mA Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № PDTB123TT,215

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T1929N30TOF T1929N30TOF Infineon Technologies Модули КТУ (SCR) PHASE CONTROL THYRISTOR ---
MCP4142T-103E/MF MCP4142T-103E/MF Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Digital Pot 128 step SPI Sngl Ch 5153278.pdf
HCS361/P HCS361/P Microchip Technology Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 2-6.6V 3528916.pdf
MM74HC174MTC_Q MM74HC174MTC_Q Fairchild Semiconductor Триггеры Hex D-Type Flip-Flop 7935425.pdf
NJM#4151M-TE3 NJM#4151M-TE3 --- Схемы управления питанием ---