PBRN123ES AMO

PBRN123ES AMO
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PBRN123ES AMO
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента PBRN123ES AMO
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 2.2 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SPT-3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V Пиковый постоянный ток коллектора 800 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Ammo
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2000
Другие названия товара № PBRN123ES,126

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
USB-USBD-TMPM3X-P-P1-SNGL USB-USBD-TMPM3X-P-P1-SNGL Micrium Программное обеспечение для разработки uC/USB Device Core Toshiba TMPM3xx SPL 9270213.pdf
106063-4470 106063-4470 Molex Волоконно-оптические соединители SC CONN (SM125ZR)90D R)90DEG BT 3mm BLACK ---
MC10H102MEL MC10H102MEL ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input NOR ---
NJM#78LR05BM NJM#78LR05BM --- Схемы управления питанием ---
LMV225SD LMV225SD --- RF Semiconductors ---