MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MUN5112DW1T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MUN5112DW1T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора PNP
Типичное входное сопротивление 22 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SC-88-6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток - 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 250 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NHD-LGMG-160100AZ-RN-GBW NHD-LGMG-160100AZ-RN-GBW Newhaven Display Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности 160 x 100 STN-GRAY 41.5 x 36.0 x 2.1 ---
PEMH19,115 PEMH19,115 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7 9508054.pdf
NJL21V367A-M NJL21V367A-M NJR Инфракрасные приемники IR Remote Control Receiver ---
CY7C1366C-166AXC CY7C1366C-166AXC --- Микросхемы памяти ---
213122-5 213122-5 --- Прямоугольные разъемы ---