EMD5DXV6T1G

EMD5DXV6T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: EMD5DXV6T1G
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary NPN & PNP Digital
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента EMD5DXV6T1G
Конфигурация Dual Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 47 KOhms at NPN, 4.7 KOhms at PNP Типичный коэффициент деления резистора 1 at NPN, 0.47 at PNP
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-553-5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA Рассеяние мощности 357 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2N4118A 2N4118A Vishay/Siliconix JFET 40V 0.08mA 9359673.pdf
CDCLVC1108PWR CDCLVC1108PWR Texas Instruments Тактовый буфер Lo Jitter 1:8 LVCMOS Fan-out Clock Bfr 6126929.pdf
CAT24WC32J CAT24WC32J --- Микросхемы памяти ---
MAX6378XR42+T MAX6378XR42+T --- Схемы управления питанием ---
B57431V2223K062 B57431V2223K062 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---