PDTD113ET T/R

PDTD113ET T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PDTD113ET T/R
Описание: Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента PDTD113ET T/R
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Типичное входное сопротивление 1 KOhms Типичный коэффициент деления резистора 1
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-23-3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Пиковый постоянный ток коллектора 500 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № PDTD113ET,215

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRGI4090PBF IRGI4090PBF International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V Plasma Display Panel Trench IGBT 4805466.pdf
PTFA190451E V4 R250 PTFA190451E V4 R250 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 1930-1990 MHz ---
SN75C3222PWG4 SN75C3222PWG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V To 5.5V Multi Ch RS232 Compat Drvr 5355207.pdf
ACDA04-41YWA-F01 ACDA04-41YWA-F01 --- Светодиодные дисплеи ---
H11D4SD H11D4SD --- Оптопары и оптроны ---